p–n-перехід

Тонкий шар на межі напівпровідників p-типу (з надлишком дірок) і n-типу (з надлишком електронів). У цьому шарі утворюється внутрішнє електричне поле, яке перешкоджає рухові основних носіїв заряду. Головна властивість p–n-переходу — однобічна (вентильна) провідність.